應用於高效能運算之低溫CMOS / SRAM製作與模擬(1/2)

隨著AI演算逐漸從雲端下放到邊緣端及終端，不僅演算法多樣性日益增加，對於低功耗、高性能運算晶片的需求與日俱增，此時就不得不使用高效能運算(High-Performance Computing, HPC)晶片來滿足這些需求，為了提高HPC晶片運算效能，降低功耗也是重要的課題。而本計劃致力於低溫MOS元件進行研究，在77K時，操作電壓等於0.25V，預期可使次臨界擺幅達到25 mV/de、等效導通電流比室溫高出10%，則能有效提升HPC。預期可使此低溫元件技術應用於現今人工智慧、物聯網以及機器學習中，成為推動AI硬體發展的重要推力。