新型高效能穿隧接面之高電子遷移率場效電晶體之技術開發

Project: Research project

Project Details

Description

本計畫擬以三年期研發「新型高效能穿隧接面之高電子遷移率場效電晶體之技術開發」,旨在開發新型高效能高電子遷移率場效電晶體,具有源極蕭特基穿隧接面以及鰭式/全包覆式閘極結構之設計,希望能夠利用以鰭式/全包覆式閘極控制的源極蕭特基穿隧接面去更好地控制二維電子氣的導通/關閉,而非傳統的依靠閘極去控制通道的二維電子氣。這樣元件的特色在於利用鰭式/全包覆式閘極結構結合源極穿隧接面結構可以非常容易地控制電流,且高二維電子氣濃度及電子遷移率克服一般穿隧接面電晶體低導通電流的問題;在設計出擁有極為優異的低漏電流、低次臨界擺幅與高崩潰電壓之元件時,能夠保有高的導通電流,這將可能可以在高功率及高頻元件上的發展上帶來更進一步的突破。本計劃擬分成三個階段:(1)第一階段(2018.08.01~2019.07.31)-完成鰭式結構之穿隧接面高電子遷移率場效電晶體之開發;(2)第二階段(2019.08.01~2020.07.31)-前半年期完成結合掘入式閘極的場板結構以及低密度汲極之針對高壓功率元件設計之開發,後半年期開始著手全包覆式閘極結構之元件參數設計;(3)第三階段(2020.08.01~2021.07.31)- 完成全包覆式閘極結構之穿隧接面高電子遷移率場效電晶體之技術開發。總結以上所述,本計畫所研究之內容富涵新穎元件設計及製程技術,具有學術發表、專利申請、技術轉移與產業應用等實質潛能。
StatusFinished
Effective start/end date20-08-0121-07-31