次世代氧化鎵新穎材料磊晶及元件製程之研究-氧化鎵新穎材料磊晶製程開發與特性研究(總計畫及子計畫一)

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隨著科技的發展,對大功率與高頻元件的需求日益增長,其中碳化矽與氮化鎵為近幾年熱門的材料。在氧化物材料中,氧化鎵具有更高的能隙(約4.8 eV)、高的臨界擊穿電場(理論約8 MV/cm)更能應用在高功率電力電子及感應器件上,但目前生長技術有一定難度, 國內的相關研究多集中探討n型氧化鎵薄膜生長與元件製作,而p型氧化鎵磊晶合成仍在理論階段,因此我們希望利用MOCVD磊晶成長氧化鎵單晶的技術,並對各項基礎元件及理論進行探討相信有機會應用在工業界。
StatusFinished
Effective start/end date21-08-0122-07-31