雙重表面粗化矽基感測膜之製備及其於高效能pH感測器之應用研究

"本計畫執行期間為二年，旨在製備具角錐、奈米線(NW)與奈米碳管(CNT)之雙重粗化pH感測膜，有效提升表面積/體積比(SVR)以改善pH感測特性，另亦再配合微縮化參考電極與pH感測器的積體整合，開發高性能之pH感測器。
第一年研究工作將以「雙重表面粗化矽基感測膜之製備及其與微縮化參考電極之整合研究」為目標。先利用濕式蝕刻製備具表面粗化的Si基板平台，再以蝕刻或塗佈/成長製程於Si平台上製作奈米結構，以雙重粗化提升感測膜之SVR。之後再與微縮化參考電極積體整合，進行高靈敏度pH感測器之研發。第二年則以「結合奈米碳管與表面粗化矽基板之高性能pH感測器研發」為主軸，分別利用噴塗與化學氣相沉積技術，於Si平台製備CNT薄膜，進一步改善pH感測性能，探討CNT長度與CNT層厚度對pH感測特性之影響，釐清感測膜SVR與pH感測特性之關係，開發高性能pH感測器。
本計畫於採用雙重表面粗化的感測膜研製pH感測器，具新穎性與進步性；於微縮化參考電極與pH感測器之積體整合具應用性。預期將完成高性能(靈敏度>55 mV/pH、線性度>0.995與遲滯電壓<10 mV等)pH感測器之開發，所建立有關微縮化參考電極與pH感測器之技術，對新世代pH感測器之開發將可提供助益。"