電沉積法製備分層結構之CuInSe2 photoconductor應用於影像感測器之研究

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Description

本研究計劃根據國立成功大學之人力、物力及相關的研究設備,預期完成以下目標:(1).分層電化學沉積CISe技術建立(2).熱處理最佳化CISe薄膜(3).製備CISe結構的photoconductor(4).建立Ga2O3/CuInSe2/Mo/Glass結構(5). CISe PD應用於CMOS image sensor
StatusFinished
Effective start/end date21-08-0122-07-31