Abstract
一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板，第二蝕刻材料層位於基板與第一蝕刻材料層之間。製造方法包含一轉印步驟，藉由一模仁將一轉印材料層轉印至基板之第一蝕刻材料層；一第一蝕刻步驟，係以基板上之轉印材料層作為遮罩，對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻；以及一第二蝕刻步驟，對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻，且使第一蝕刻材料層具有一第一蝕刻率，第二蝕刻材料層具有一第二蝕刻率，第一蝕刻率與第二蝕刻率之比值小於30，而使第一蝕刻材料層完全蝕刻完，而留下已蝕刻之第二蝕刻材料層。
| Original language | Chinese |
|---|---|
| Patent number | I498963 |
| Publication status | Published - 1800 |
Cite this
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title = "三維形狀微奈米結構",
abstract = "一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板，第二蝕刻材料層位於基板與第一蝕刻材料層之間。製造方法包含一轉印步驟，藉由一模仁將一轉印材料層轉印至基板之第一蝕刻材料層；一第一蝕刻步驟，係以基板上之轉印材料層作為遮罩，對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻；以及一第二蝕刻步驟，對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻，且使第一蝕刻材料層具有一第一蝕刻率，第二蝕刻材料層具有一第二蝕刻率，第一蝕刻率與第二蝕刻率之比值小於30，而使第一蝕刻材料層完全蝕刻完，而留下已蝕刻之第二蝕刻材料層。",
author = "Yung-Chun Lee",
year = "1800",
language = "Chinese",
type = "Patent",
note = "I498963",
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三維形狀微奈米結構. / Lee, Yung-Chun (Inventor).
Patent No.: I498963.Research output: Patent
TY - PAT
T1 - 三維形狀微奈米結構
AU - Lee, Yung-Chun
PY - 1800
Y1 - 1800
N2 - 一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板，第二蝕刻材料層位於基板與第一蝕刻材料層之間。製造方法包含一轉印步驟，藉由一模仁將一轉印材料層轉印至基板之第一蝕刻材料層；一第一蝕刻步驟，係以基板上之轉印材料層作為遮罩，對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻；以及一第二蝕刻步驟，對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻，且使第一蝕刻材料層具有一第一蝕刻率，第二蝕刻材料層具有一第二蝕刻率，第一蝕刻率與第二蝕刻率之比值小於30，而使第一蝕刻材料層完全蝕刻完，而留下已蝕刻之第二蝕刻材料層。
AB - 一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板，第二蝕刻材料層位於基板與第一蝕刻材料層之間。製造方法包含一轉印步驟，藉由一模仁將一轉印材料層轉印至基板之第一蝕刻材料層；一第一蝕刻步驟，係以基板上之轉印材料層作為遮罩，對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻；以及一第二蝕刻步驟，對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻，且使第一蝕刻材料層具有一第一蝕刻率，第二蝕刻材料層具有一第二蝕刻率，第一蝕刻率與第二蝕刻率之比值小於30，而使第一蝕刻材料層完全蝕刻完，而留下已蝕刻之第二蝕刻材料層。
M3 - Patent
M1 - I498963
ER -