三維形狀微奈米結構

Yung-Chun Lee (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板,第二蝕刻材料層位於基板與第一蝕刻材料層之間。製造方法包含一轉印步驟,藉由一模仁將一轉印材料層轉印至基板之第一蝕刻材料層;一第一蝕刻步驟,係以基板上之轉印材料層作為遮罩,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻;以及一第二蝕刻步驟,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻,且使第一蝕刻材料層具有一第一蝕刻率,第二蝕刻材料層具有一第二蝕刻率,第一蝕刻率與第二蝕刻率之比值小於30,而使第一蝕刻材料層完全蝕刻完,而留下已蝕刻之第二蝕刻材料層。
Original languageChinese
Patent numberI498963
Publication statusPublished - 1800

Cite this

Lee, Y-C. (1800). 三維形狀微奈米結構. (Patent No. I498963).
@misc{b6ec8706c5dd41b59292d3842f4fc195,
title = "三維形狀微奈米結構",
abstract = "一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板,第二蝕刻材料層位於基板與第一蝕刻材料層之間。製造方法包含一轉印步驟,藉由一模仁將一轉印材料層轉印至基板之第一蝕刻材料層;一第一蝕刻步驟,係以基板上之轉印材料層作為遮罩,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻;以及一第二蝕刻步驟,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻,且使第一蝕刻材料層具有一第一蝕刻率,第二蝕刻材料層具有一第二蝕刻率,第一蝕刻率與第二蝕刻率之比值小於30,而使第一蝕刻材料層完全蝕刻完,而留下已蝕刻之第二蝕刻材料層。",
author = "Yung-Chun Lee",
year = "1800",
language = "Chinese",
type = "Patent",
note = "I498963",

}

Lee, Y-C 1800, 三維形狀微奈米結構, Patent No. I498963.

三維形狀微奈米結構. / Lee, Yung-Chun (Inventor).

Patent No.: I498963.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - 三維形狀微奈米結構

AU - Lee, Yung-Chun

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板,第二蝕刻材料層位於基板與第一蝕刻材料層之間。製造方法包含一轉印步驟,藉由一模仁將一轉印材料層轉印至基板之第一蝕刻材料層;一第一蝕刻步驟,係以基板上之轉印材料層作為遮罩,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻;以及一第二蝕刻步驟,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻,且使第一蝕刻材料層具有一第一蝕刻率,第二蝕刻材料層具有一第二蝕刻率,第一蝕刻率與第二蝕刻率之比值小於30,而使第一蝕刻材料層完全蝕刻完,而留下已蝕刻之第二蝕刻材料層。

AB - 一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板,第二蝕刻材料層位於基板與第一蝕刻材料層之間。製造方法包含一轉印步驟,藉由一模仁將一轉印材料層轉印至基板之第一蝕刻材料層;一第一蝕刻步驟,係以基板上之轉印材料層作為遮罩,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻;以及一第二蝕刻步驟,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻,且使第一蝕刻材料層具有一第一蝕刻率,第二蝕刻材料層具有一第二蝕刻率,第一蝕刻率與第二蝕刻率之比值小於30,而使第一蝕刻材料層完全蝕刻完,而留下已蝕刻之第二蝕刻材料層。

M3 - Patent

M1 - I498963

ER -

Lee Y-C, inventor. 三維形狀微奈米結構. I498963. 1800.