二矽化鈷薄膜的製造方法

Chuan-Pu Liu (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係關於一種二矽化鋯薄膜的製造方法,其係於具有化學氧化層之矽基板上形成一鈷材料層,再施以兩階段不同溫度的回火程序製造二矽化鋯薄膜。利用本發明之製造方法得到的二矽化鋯薄膜具有奈米級的晶粒尺寸及均勻的晶粒尺寸分佈,可降低阻?使二矽化鋯薄膜的電學特性提升。
Original languageChinese
Patent numberI311787
Publication statusPublished - 1800

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Liu, C-P. (1800). 二矽化鈷薄膜的製造方法. (Patent No. I311787).