光誘發介電泳晶片

Tzung-Fang Guo (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種光誘發介電泳晶片,配合一控制系統以產生光誘發介電泳力來操控生物分子,該光誘發介電泳晶片包含:一基板、一披覆在該基板上的第一電極層、一披覆在該第一電極層上並由有機高分子材料製成的介面修飾層、一披覆在該介面修飾層上的光導層、一披覆在該光導層上的阻絕層、一披覆在該阻絕層上並界定出一容室的容室形成層,以及一披覆在該容室形成層上並覆蓋該容室的第二電極層。
Original languageChinese
Patent numberI393881
Publication statusPublished - 1800

Cite this

Guo, T-F. (1800). 光誘發介電泳晶片. (Patent No. I393881).
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Guo, T-F 1800, 光誘發介電泳晶片, Patent No. I393881.

光誘發介電泳晶片. / Guo, Tzung-Fang (Inventor).

Patent No.: I393881.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - 光誘發介電泳晶片

AU - Guo, Tzung-Fang

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種光誘發介電泳晶片,配合一控制系統以產生光誘發介電泳力來操控生物分子,該光誘發介電泳晶片包含:一基板、一披覆在該基板上的第一電極層、一披覆在該第一電極層上並由有機高分子材料製成的介面修飾層、一披覆在該介面修飾層上的光導層、一披覆在該光導層上的阻絕層、一披覆在該阻絕層上並界定出一容室的容室形成層,以及一披覆在該容室形成層上並覆蓋該容室的第二電極層。

AB - 一種光誘發介電泳晶片,配合一控制系統以產生光誘發介電泳力來操控生物分子,該光誘發介電泳晶片包含:一基板、一披覆在該基板上的第一電極層、一披覆在該第一電極層上並由有機高分子材料製成的介面修飾層、一披覆在該介面修飾層上的光導層、一披覆在該光導層上的阻絕層、一披覆在該阻絕層上並界定出一容室的容室形成層,以及一披覆在該容室形成層上並覆蓋該容室的第二電極層。

M3 - Patent

M1 - I393881

ER -

Guo T-F, inventor. 光誘發介電泳晶片. I393881. 1800.