Abstract
本發明提供一種全光纖型被動式Q-切換雷射,飽和吸收光纖可以吸收雷射波長,並且到達飽和後即不再吸收,而該飽和吸收光纖的核心直徑(或面積)比增益光纖的核心直徑(或面積)小,使得經過飽和吸收光纖核心的光強度密度大於經過增益光纖核心的光強度密度,因此可加速飽和吸收光纖達到飽和狀態,進而產生Q-切換雷射脈衝。
| Original language | Chinese |
|---|---|
| Patent number | I358869 |
| Publication status | Published - 1800 |
Cite this
Tsai, T-Y. (1800). 全光纖型被動式Q-切換雷射. (Patent No. I358869).
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author = "Tzong-Yow Tsai",
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Tsai, T-Y 1800, 全光纖型被動式Q-切換雷射, Patent No. I358869.
全光纖型被動式Q-切換雷射. / Tsai, Tzong-Yow (Inventor).
Patent No.: I358869.Research output: Patent
TY - PAT
T1 - 全光纖型被動式Q-切換雷射
AU - Tsai, Tzong-Yow
PY - 1800
Y1 - 1800
N2 - 本發明提供一種全光纖型被動式Q-切換雷射,飽和吸收光纖可以吸收雷射波長,並且到達飽和後即不再吸收,而該飽和吸收光纖的核心直徑(或面積)比增益光纖的核心直徑(或面積)小,使得經過飽和吸收光纖核心的光強度密度大於經過增益光纖核心的光強度密度,因此可加速飽和吸收光纖達到飽和狀態,進而產生Q-切換雷射脈衝。
AB - 本發明提供一種全光纖型被動式Q-切換雷射,飽和吸收光纖可以吸收雷射波長,並且到達飽和後即不再吸收,而該飽和吸收光纖的核心直徑(或面積)比增益光纖的核心直徑(或面積)小,使得經過飽和吸收光纖核心的光強度密度大於經過增益光纖核心的光強度密度,因此可加速飽和吸收光纖達到飽和狀態,進而產生Q-切換雷射脈衝。
M3 - Patent
M1 - I358869
ER -
Tsai T-Y, inventor. 全光纖型被動式Q-切換雷射. I358869. 1800.