具場發射機制的奈米線圖罩及三極體式電子微影裝置

Dung-Ching Perng (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種奈米微影方法,於第一導電基板上沉積一介電層、一金屬層與一第一阻劑層,再以電子束或極紫外光感應第一阻劑層而構成圖樣區,並將圖樣區及圖樣區正下方的金屬層與介電層蝕刻掉,且於第一導電基板頂面外露區域成長直立奈米線,再將第一阻劑層移除而構成奈米線圖罩,並於第一導電基板與金屬層間施加一脈衝電壓,使該等奈米線發射電子,而使與奈米線圖罩相間隔之第二導電基板上的第二阻劑層形成電子感應,而完成圖樣之轉移。透過圖罩之奈米線被驅動而發射電子感應第二阻劑層的方式,可快速且等比例地將圖樣轉移至另一導電基板上。
Original languageChinese
Patent numberI439821
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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TY - PAT

T1 - 具場發射機制的奈米線圖罩及三極體式電子微影裝置

AU - Perng, Dung-Ching

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種奈米微影方法,於第一導電基板上沉積一介電層、一金屬層與一第一阻劑層,再以電子束或極紫外光感應第一阻劑層而構成圖樣區,並將圖樣區及圖樣區正下方的金屬層與介電層蝕刻掉,且於第一導電基板頂面外露區域成長直立奈米線,再將第一阻劑層移除而構成奈米線圖罩,並於第一導電基板與金屬層間施加一脈衝電壓,使該等奈米線發射電子,而使與奈米線圖罩相間隔之第二導電基板上的第二阻劑層形成電子感應,而完成圖樣之轉移。透過圖罩之奈米線被驅動而發射電子感應第二阻劑層的方式,可快速且等比例地將圖樣轉移至另一導電基板上。

AB - 一種奈米微影方法,於第一導電基板上沉積一介電層、一金屬層與一第一阻劑層,再以電子束或極紫外光感應第一阻劑層而構成圖樣區,並將圖樣區及圖樣區正下方的金屬層與介電層蝕刻掉,且於第一導電基板頂面外露區域成長直立奈米線,再將第一阻劑層移除而構成奈米線圖罩,並於第一導電基板與金屬層間施加一脈衝電壓,使該等奈米線發射電子,而使與奈米線圖罩相間隔之第二導電基板上的第二阻劑層形成電子感應,而完成圖樣之轉移。透過圖罩之奈米線被驅動而發射電子感應第二阻劑層的方式,可快速且等比例地將圖樣轉移至另一導電基板上。

M3 - Patent

M1 - I439821

ER -