具有奈米柱陣列之發光二極體及其製造方法

Chuan-Pu Liu (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係關於一種具有奈米柱陣列之發光二極體及其製造方法。該方法之步驟係包含:(a)提供一基板;(b)於前述基板上披覆一晶核層;(c)於前述晶核層上披覆一n型半導體層;(d)於前述n型半導體層上披覆一量子井層;(e)於前述量子井層上披覆一p型半導體層;(f)對該n型半導體層、量子井層及p型半導體層進行乾式蝕刻,使該晶核層上形成一表面含有非晶質層及/或損壞層之奈米柱陣列
Original languageChinese (Traditional)
Patent numberI392116
Publication statusPublished - 1800

Cite this