Abstract
一種寬廣工作點電壓操作範圍之雙異質接面雙極性電晶體結構，係為一種新型、高速、低功率消耗及高崩潰電壓的微波功率電晶體，且為一種具有非常寬廣集-射極工作點電壓操作範圍之改良式磷化鎵銦/砷化鎵雙異質接面雙極性電晶體。其特色為在集極區域中包括磷化鎵銦(In0.49Ga0.51P)集極層，砷化鎵(GaAs)單原子摻雜平面層(delta-doping sheet)與無摻雜之砷化鎵(GaAs)空間層(spacer)。由於在有效基-集極異質接面處，引入一空間層與一層單原子摻雜平面層，使位障尖峰不再出現於基-集極異質接面，
| Original language | Chinese (Traditional) |
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| Patent number | 180781 |
| Publication status | Published - 1800 |