半導體摻雜製程的檢測方法

一種半導體摻雜製程的檢測方法，適用於檢測一半導體於摻雜過程中是否有金屬團簇析出，該檢測方法包含以下步驟：(A)以一高頻複數阻抗分析儀量測出所述半導體之阻抗頻譜。(B)取阻抗頻譜之實部的對數為橫軸，虛部之對數為縱軸繪圖並求取特徵斜率。(C)如該特徵斜率為0.5，代表所述半導體中僅有一種介電遲豫行為產生，亦即半導體摻雜過程中無金屬團簇的析出。藉以提供一種簡便、快速又可靠以檢測半導體內是否有金屬奈米團簇析出，以迅速辨別半導體摻雜製程的品質優劣。