太陽能集熱器之薄膜成型方法

Research output: Patent

Abstract

本發明係有關於一種太陽能集熱器之薄膜成型方法,係為了在太陽能集熱器上成型具有高吸收率及低放射率之太陽能選擇是吸收薄膜。本發明包括有下列步驟:A、粗糙化金屬基板導熱層;B、成型矽薄膜吸收層;C、成型氮化鋁抗反射層。前述粗糙化金屬基板導熱層可有效將入射太陽光導入並減少反射量,粗糙化之表面亦可增加與前述氮化鋁抗反射層可以增加太陽熱能吸收率、減少放射率,且氮化鋁之熱膨脹係數與矽相近,在高溫操作下將有效前述矽薄膜吸收層及氮化鋁抗反射層之間的熱應力。
Original languageChinese
Patent numberI500897
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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title = "太陽能集熱器之薄膜成型方法",
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author = "Chin-Hsiang Cheng",
year = "1800",
language = "Chinese",
type = "Patent",
note = "I500897",

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太陽能集熱器之薄膜成型方法. / Cheng, Chin-Hsiang (Inventor).

Patent No.: I500897.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - 太陽能集熱器之薄膜成型方法

AU - Cheng, Chin-Hsiang

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係有關於一種太陽能集熱器之薄膜成型方法,係為了在太陽能集熱器上成型具有高吸收率及低放射率之太陽能選擇是吸收薄膜。本發明包括有下列步驟:A、粗糙化金屬基板導熱層;B、成型矽薄膜吸收層;C、成型氮化鋁抗反射層。前述粗糙化金屬基板導熱層可有效將入射太陽光導入並減少反射量,粗糙化之表面亦可增加與前述氮化鋁抗反射層可以增加太陽熱能吸收率、減少放射率,且氮化鋁之熱膨脹係數與矽相近,在高溫操作下將有效前述矽薄膜吸收層及氮化鋁抗反射層之間的熱應力。

AB - 本發明係有關於一種太陽能集熱器之薄膜成型方法,係為了在太陽能集熱器上成型具有高吸收率及低放射率之太陽能選擇是吸收薄膜。本發明包括有下列步驟:A、粗糙化金屬基板導熱層;B、成型矽薄膜吸收層;C、成型氮化鋁抗反射層。前述粗糙化金屬基板導熱層可有效將入射太陽光導入並減少反射量,粗糙化之表面亦可增加與前述氮化鋁抗反射層可以增加太陽熱能吸收率、減少放射率,且氮化鋁之熱膨脹係數與矽相近,在高溫操作下將有效前述矽薄膜吸收層及氮化鋁抗反射層之間的熱應力。

M3 - Patent

M1 - I500897

ER -