太陽能集熱器之薄膜成型方法

Research output: Patent

Abstract

一種太陽能集熱器之薄膜成型方法,包含下列步驟:A. 粗造化金屬基板導熱層,將表面粗造化形成倒金字塔型或高深寬比之微奈米結構,有效將入射太陽光導入並減少其反射量,粗造化之表面亦可增加與矽薄膜吸收層之接合力有效減少薄膜劈裂現象;B.雷射表面處理,包括設計圖案單體尺寸、 幾何圖案排列與控制基板表面氧化 (黑化)程度;C.成型矽薄膜吸收層,以增強式電漿化學氣相沉積法 (PECVD)完成,透過電漿增強型化學式氣相沈積製程技術製備之微晶矽薄膜,係以矽烷及氨氣混合而形成,且其矽烷以 95 %氮氣及5%純矽烷做混和稀釋。在製程過中,應盡量 %純矽烷做混和稀釋。在製程過中,應盡量 %純矽烷做混和稀釋;D.成型氮化鋁抗反射層,主要以射頻磁控濺鍍法成長結晶性氮化鋁薄膜,氮化鋁具有高熱傳導率 (1 40 ~ 170 W/mk)、高化學穩定性、高機械強度、電性絕緣強度佳等優異特性;而其高熱傳導率及高化學穩定性等兩項主要特性,對於高溫太陽能選擇性吸收膜有很大助益,將其應用於吸收太陽能上,可以增加吸收率、減少放射率,值得一提其熱膨脹係數與矽相當接近,在高溫的操作下將可有效減少薄膜之熱應力。
Original languageChinese
Patent numberZL201210537936.9
Publication statusPublished - 1800

Cite this

Cheng, C-H. (1800). 太陽能集熱器之薄膜成型方法. (Patent No. ZL201210537936.9).
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Cheng, C-H 1800, 太陽能集熱器之薄膜成型方法, Patent No. ZL201210537936.9.

太陽能集熱器之薄膜成型方法. / Cheng, Chin-Hsiang (Inventor).

Patent No.: ZL201210537936.9.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - 太陽能集熱器之薄膜成型方法

AU - Cheng, Chin-Hsiang

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種太陽能集熱器之薄膜成型方法,包含下列步驟:A. 粗造化金屬基板導熱層,將表面粗造化形成倒金字塔型或高深寬比之微奈米結構,有效將入射太陽光導入並減少其反射量,粗造化之表面亦可增加與矽薄膜吸收層之接合力有效減少薄膜劈裂現象;B.雷射表面處理,包括設計圖案單體尺寸、 幾何圖案排列與控制基板表面氧化 (黑化)程度;C.成型矽薄膜吸收層,以增強式電漿化學氣相沉積法 (PECVD)完成,透過電漿增強型化學式氣相沈積製程技術製備之微晶矽薄膜,係以矽烷及氨氣混合而形成,且其矽烷以 95 %氮氣及5%純矽烷做混和稀釋。在製程過中,應盡量 %純矽烷做混和稀釋。在製程過中,應盡量 %純矽烷做混和稀釋;D.成型氮化鋁抗反射層,主要以射頻磁控濺鍍法成長結晶性氮化鋁薄膜,氮化鋁具有高熱傳導率 (1 40 ~ 170 W/mk)、高化學穩定性、高機械強度、電性絕緣強度佳等優異特性;而其高熱傳導率及高化學穩定性等兩項主要特性,對於高溫太陽能選擇性吸收膜有很大助益,將其應用於吸收太陽能上,可以增加吸收率、減少放射率,值得一提其熱膨脹係數與矽相當接近,在高溫的操作下將可有效減少薄膜之熱應力。

AB - 一種太陽能集熱器之薄膜成型方法,包含下列步驟:A. 粗造化金屬基板導熱層,將表面粗造化形成倒金字塔型或高深寬比之微奈米結構,有效將入射太陽光導入並減少其反射量,粗造化之表面亦可增加與矽薄膜吸收層之接合力有效減少薄膜劈裂現象;B.雷射表面處理,包括設計圖案單體尺寸、 幾何圖案排列與控制基板表面氧化 (黑化)程度;C.成型矽薄膜吸收層,以增強式電漿化學氣相沉積法 (PECVD)完成,透過電漿增強型化學式氣相沈積製程技術製備之微晶矽薄膜,係以矽烷及氨氣混合而形成,且其矽烷以 95 %氮氣及5%純矽烷做混和稀釋。在製程過中,應盡量 %純矽烷做混和稀釋。在製程過中,應盡量 %純矽烷做混和稀釋;D.成型氮化鋁抗反射層,主要以射頻磁控濺鍍法成長結晶性氮化鋁薄膜,氮化鋁具有高熱傳導率 (1 40 ~ 170 W/mk)、高化學穩定性、高機械強度、電性絕緣強度佳等優異特性;而其高熱傳導率及高化學穩定性等兩項主要特性,對於高溫太陽能選擇性吸收膜有很大助益,將其應用於吸收太陽能上,可以增加吸收率、減少放射率,值得一提其熱膨脹係數與矽相當接近,在高溫的操作下將可有效減少薄膜之熱應力。

M3 - Patent

M1 - ZL201210537936.9

ER -

Cheng C-H, inventor. 太陽能集熱器之薄膜成型方法. ZL201210537936.9. 1800.