奈米微影方法

Dung-Ching Perng (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種奈米微影方法,於第一導電基板上沉積一介電層、一金屬層與一第一阻劑層,再以電子束或極紫外光感應第一阻劑層而構成圖樣區,並將圖樣區及圖樣區正下方的金屬層與介電層蝕刻掉,且於第一導電基板頂面外露區域成長直立奈米線,再將第一阻劑層移除而構成奈米線圖罩,並於第一導電基板與金屬層間施加一脈衝電壓,使該等奈米線發射電子
Original languageChinese
Patent numberI348078
Publication statusPublished - 1800

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Perng, D-C. (1800). 奈米微影方法. (Patent No. I348078).
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author = "Dung-Ching Perng",
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Perng, D-C 1800, 奈米微影方法, Patent No. I348078.

奈米微影方法. / Perng, Dung-Ching (Inventor).

Patent No.: I348078.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - 奈米微影方法

AU - Perng, Dung-Ching

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種奈米微影方法,於第一導電基板上沉積一介電層、一金屬層與一第一阻劑層,再以電子束或極紫外光感應第一阻劑層而構成圖樣區,並將圖樣區及圖樣區正下方的金屬層與介電層蝕刻掉,且於第一導電基板頂面外露區域成長直立奈米線,再將第一阻劑層移除而構成奈米線圖罩,並於第一導電基板與金屬層間施加一脈衝電壓,使該等奈米線發射電子

AB - 一種奈米微影方法,於第一導電基板上沉積一介電層、一金屬層與一第一阻劑層,再以電子束或極紫外光感應第一阻劑層而構成圖樣區,並將圖樣區及圖樣區正下方的金屬層與介電層蝕刻掉,且於第一導電基板頂面外露區域成長直立奈米線,再將第一阻劑層移除而構成奈米線圖罩,並於第一導電基板與金屬層間施加一脈衝電壓,使該等奈米線發射電子

M3 - Patent

M1 - I348078

ER -

Perng D-C, inventor. 奈米微影方法. I348078. 1800.