奈米級針狀二氧化鈰粉體及其製造方法

Huey-Ing Chen (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種奈米級針狀二氧化鈰粉體及其製造方法,該粉體為一長度介於80~400nm、徑長介於1~30nm的針狀結構。而該製造方法包含以下步驟:調配鈰前驅鹽溶液、沉澱、熟成,以及離心、清洗、乾燥等步驟,其中沉澱步驟是將鈰前驅鹽溶液與一沉澱劑加熱至50~95℃間,並混合之,使初始沉澱物產生。熟成步驟是將初始沉澱物降溫至0~30℃間,使其持續反應。上述製造方法不僅簡單、不需複雜的設備,其利用不同的沉澱及熟成溫度,亦可製備出催化活性較大的針狀二氧化鈰粉體。
Original languageChinese
Patent numberI308505
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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TY - PAT

T1 - 奈米級針狀二氧化鈰粉體及其製造方法

AU - Chen, Huey-Ing

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種奈米級針狀二氧化鈰粉體及其製造方法,該粉體為一長度介於80~400nm、徑長介於1~30nm的針狀結構。而該製造方法包含以下步驟:調配鈰前驅鹽溶液、沉澱、熟成,以及離心、清洗、乾燥等步驟,其中沉澱步驟是將鈰前驅鹽溶液與一沉澱劑加熱至50~95℃間,並混合之,使初始沉澱物產生。熟成步驟是將初始沉澱物降溫至0~30℃間,使其持續反應。上述製造方法不僅簡單、不需複雜的設備,其利用不同的沉澱及熟成溫度,亦可製備出催化活性較大的針狀二氧化鈰粉體。

AB - 一種奈米級針狀二氧化鈰粉體及其製造方法,該粉體為一長度介於80~400nm、徑長介於1~30nm的針狀結構。而該製造方法包含以下步驟:調配鈰前驅鹽溶液、沉澱、熟成,以及離心、清洗、乾燥等步驟,其中沉澱步驟是將鈰前驅鹽溶液與一沉澱劑加熱至50~95℃間,並混合之,使初始沉澱物產生。熟成步驟是將初始沉澱物降溫至0~30℃間,使其持續反應。上述製造方法不僅簡單、不需複雜的設備,其利用不同的沉澱及熟成溫度,亦可製備出催化活性較大的針狀二氧化鈰粉體。

M3 - Patent

M1 - I308505

ER -