奈米級(nanoscale)YAG螢光粉體之製造方法

Chii-Shyang Hwang (Inventor), In-Gann Chen (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係關於一種具有式(I)之奈米級釔鋁氧石榴石(YAG)螢光粉體之合成方法：Y3-xR1x)(Al5-yR2y)O12 (I) 其中R1及R2分別選自由稀土元素及過渡金屬元素所組成之群，x與y分別係介於0與1.5間之數值，該方法包含以下步驟

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author = "Chii-Shyang Hwang and In-Gann Chen",

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TY - PAT

T1 - 奈米級(nanoscale)YAG螢光粉體之製造方法

AU - Hwang, Chii-Shyang

AU - Chen, In-Gann

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係關於一種具有式(I)之奈米級釔鋁氧石榴石(YAG)螢光粉體之合成方法：Y3-xR1x)(Al5-yR2y)O12 (I) 其中R1及R2分別選自由稀土元素及過渡金屬元素所組成之群，x與y分別係介於0與1.5間之數值，該方法包含以下步驟

AB - 本發明係關於一種具有式(I)之奈米級釔鋁氧石榴石(YAG)螢光粉體之合成方法：Y3-xR1x)(Al5-yR2y)O12 (I) 其中R1及R2分別選自由稀土元素及過渡金屬元素所組成之群，x與y分別係介於0與1.5間之數值，該方法包含以下步驟

M3 - Patent

M1 - 179971

ER -