Abstract
本發明提供一種奈米陶瓷材料的製造方法，其包含步驟：(a)提供一生質廢棄物；(b)添加一矽氧化物，與該生質廢棄物形成一混合物；以及(c)在一氣體氛圍下，加熱該混合物至一第一溫度，並維持一第一預設時間以生成一奈米陶瓷材料，其中該第一溫度係為1400℃以上。
| Original language | Chinese |
|---|---|
| Patent number | I555720 |
| Publication status | Published - 2016 Mar 1 |
Cite this
Chen, C-Y. (2016). 奈米陶瓷材料的製造方法. (Patent No. I555720).
@misc{0750ad1e17b74fd49865e7d0f008ab8e,
title = "奈米陶瓷材料的製造方法",
abstract = "本發明提供一種奈米陶瓷材料的製造方法，其包含步驟：(a)提供一生質廢棄物；(b)添加一矽氧化物，與該生質廢棄物形成一混合物；以及(c)在一氣體氛圍下，加熱該混合物至一第一溫度，並維持一第一預設時間以生成一奈米陶瓷材料，其中該第一溫度係為1400℃以上。",
author = "Chuh-Yung Chen",
year = "2016",
month = "3",
day = "1",
language = "Chinese",
type = "Patent",
note = "I555720",
}
Chen, C-Y 2016, 奈米陶瓷材料的製造方法, Patent No. I555720.
奈米陶瓷材料的製造方法. / Chen, Chuh-Yung (Inventor).
Patent No.: I555720.Research output: Patent
TY - PAT
T1 - 奈米陶瓷材料的製造方法
AU - Chen, Chuh-Yung
PY - 2016/3/1
Y1 - 2016/3/1
N2 - 本發明提供一種奈米陶瓷材料的製造方法，其包含步驟：(a)提供一生質廢棄物；(b)添加一矽氧化物，與該生質廢棄物形成一混合物；以及(c)在一氣體氛圍下，加熱該混合物至一第一溫度，並維持一第一預設時間以生成一奈米陶瓷材料，其中該第一溫度係為1400℃以上。
AB - 本發明提供一種奈米陶瓷材料的製造方法，其包含步驟：(a)提供一生質廢棄物；(b)添加一矽氧化物，與該生質廢棄物形成一混合物；以及(c)在一氣體氛圍下，加熱該混合物至一第一溫度，並維持一第一預設時間以生成一奈米陶瓷材料，其中該第一溫度係為1400℃以上。
M3 - Patent
M1 - I555720
ER -
Chen C-Y, inventor. 奈米陶瓷材料的製造方法. I555720. 2016 Mar 1.