應用二氧化碳雷射來形成微結構於基板的方法

Chen-Kuei Chung (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係一種二氧化碳雷射應用於微結構的使用方法,係包括(1)放置金屬光罩;及(2)二氧化碳雷射掃瞄之步驟,其係在使用二氧化碳雷射光源針對一基板進行微加工前,在該基板上設置一對二氧化碳雷射波長具有低吸收率及具高導熱率之金屬光罩,有效將加工特徵尺寸降至50 μm大小的微細結構,且具有無凸塊、燒焦、粉塵與熱影響區等特性,本發明係一種具有低成本、高精確度、高穩定性、大面積製作及加工快速優點的微結構製作方法,利用本發明使用方法可形成次100微米之微結構,並適用於半導體元件、光學元件或微流體元件之製作。
Original languageChinese
Patent numberI400579
Publication statusPublished - 1800

Cite this

@misc{c7943393f9e044a0ac249f83858c978a,
title = "應用二氧化碳雷射來形成微結構於基板的方法",
abstract = "本發明係一種二氧化碳雷射應用於微結構的使用方法,係包括(1)放置金屬光罩;及(2)二氧化碳雷射掃瞄之步驟,其係在使用二氧化碳雷射光源針對一基板進行微加工前,在該基板上設置一對二氧化碳雷射波長具有低吸收率及具高導熱率之金屬光罩,有效將加工特徵尺寸降至50 μm大小的微細結構,且具有無凸塊、燒焦、粉塵與熱影響區等特性,本發明係一種具有低成本、高精確度、高穩定性、大面積製作及加工快速優點的微結構製作方法,利用本發明使用方法可形成次100微米之微結構,並適用於半導體元件、光學元件或微流體元件之製作。",
author = "Chen-Kuei Chung",
year = "1800",
language = "Chinese",
type = "Patent",
note = "I400579",

}

TY - PAT

T1 - 應用二氧化碳雷射來形成微結構於基板的方法

AU - Chung, Chen-Kuei

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係一種二氧化碳雷射應用於微結構的使用方法,係包括(1)放置金屬光罩;及(2)二氧化碳雷射掃瞄之步驟,其係在使用二氧化碳雷射光源針對一基板進行微加工前,在該基板上設置一對二氧化碳雷射波長具有低吸收率及具高導熱率之金屬光罩,有效將加工特徵尺寸降至50 μm大小的微細結構,且具有無凸塊、燒焦、粉塵與熱影響區等特性,本發明係一種具有低成本、高精確度、高穩定性、大面積製作及加工快速優點的微結構製作方法,利用本發明使用方法可形成次100微米之微結構,並適用於半導體元件、光學元件或微流體元件之製作。

AB - 本發明係一種二氧化碳雷射應用於微結構的使用方法,係包括(1)放置金屬光罩;及(2)二氧化碳雷射掃瞄之步驟,其係在使用二氧化碳雷射光源針對一基板進行微加工前,在該基板上設置一對二氧化碳雷射波長具有低吸收率及具高導熱率之金屬光罩,有效將加工特徵尺寸降至50 μm大小的微細結構,且具有無凸塊、燒焦、粉塵與熱影響區等特性,本發明係一種具有低成本、高精確度、高穩定性、大面積製作及加工快速優點的微結構製作方法,利用本發明使用方法可形成次100微米之微結構,並適用於半導體元件、光學元件或微流體元件之製作。

M3 - Patent

M1 - I400579

ER -