改善發光二極體之電流分佈

Mau-phon Houng (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係利用氮化鈦(TiN)層，具有透明導電之特性，製作出發光二極體之透明電極。此一發光二極體經由此透明電極係可改善電流分佈，使電流快速且均勻地分佈到半導體元件，進而提升二極體之發光效果。

@misc{e06df97a7eba4e668dc74a32d07df6f3,

title = "改善發光二極體之電流分佈",

abstract = "本發明係利用氮化鈦(TiN)層，具有透明導電之特性，製作出發光二極體之透明電極。此一發光二極體經由此透明電極係可改善電流分佈，使電流快速且均勻地分佈到半導體元件，進而提升二極體之發光效果。",

author = "Mau-phon Houng",

year = "1800",

language = "???core.languages.zh_TW???",

type = "Patent",

note = "179797",

}

TY - PAT

T1 - 改善發光二極體之電流分佈

AU - Houng, Mau-phon

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係利用氮化鈦(TiN)層，具有透明導電之特性，製作出發光二極體之透明電極。此一發光二極體經由此透明電極係可改善電流分佈，使電流快速且均勻地分佈到半導體元件，進而提升二極體之發光效果。

AB - 本發明係利用氮化鈦(TiN)層，具有透明導電之特性，製作出發光二極體之透明電極。此一發光二極體經由此透明電極係可改善電流分佈，使電流快速且均勻地分佈到半導體元件，進而提升二極體之發光效果。

M3 - Patent

M1 - 179797

ER -