晶片電阻端電級結構

Wen-Shi Lee (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種晶片電阻端電極結構,係包括一基板、二形成於該基板正面之正面端電極、二形成於該基板背面之背面端電極、一形成於該基板正面並位於該二正面端電極之間之第一電阻層、一重疊該第一電阻層之上之第一保護層,且該第一保護層之尺寸相異於該第一電阻層之尺寸,使該第一電阻層之兩端部分外露、以及二分別形成於該基板二側面上且分別與同一側邊之正、背面端電極相連接之側面端電極所構成。藉此,利用改變結構方式,使用新結構保護層與電阻層尺寸不同之電流導通路徑,取代傳統結構保護層與電阻層尺寸相同之電流導通路徑,確實可以改善晶片電阻器之電阻值變異性,進而提高窄分佈電阻值之晶片電阻器良率,既可有效提升電阻器電性良率產品,又可大幅降低正面端電極材料成本。
Original languageChinese
Patent numberI603347
Publication statusPublished - 1800

Cite this

Lee, W-S. (1800). 晶片電阻端電級結構. (Patent No. I603347).