氧化鎳酸鹼值感測器及其製造方法

本發明為一種氧化鎳酸鹼值感測器及其製造方法，係為一延伸式閘極場效電晶體結構，包括有金氧半場效電晶體以及延伸式閘極感測元件。該延伸式閘極感測元件包括有基底、設置於該基底上之導電層、設置於該導電層之上之氧化鎳層、連接於該導電層與該金氧半場效電晶體之導線，以及包覆於該基底、導電層與氧化鎳層之絕緣層，該絕緣層並露出該氧化鎳層形成感測區。藉此，本發明具有更良好之靈敏度及線性度，具備低成本、製程簡易、高穩定性，有極佳之可靠度及耐用度等優點之酸鹼值感測器。