用於製造氮化鎵基半導體垂直結構元件的雷射剝離方法

Shui-Jinn Wang (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種用於製造氮化鎵基半導體垂直結構元件的雷射剝離方法,包含:(a)製備一試片單元:在一轉換基板上形成一氮化鎵基半導體層,及一支持基板,(b)鄰近轉換基板地設置一個具有鏤空區的光罩,(c)將雷射光穿過鏤空區照射試片單元,使半導體層具有對應鏤空區的晶粒區,及位在晶粒區周圍的分隔區,(d)加熱,(e)將半導體層剝離該轉換基板。藉由雷射光搭配光罩使用,使半導體層在剝離轉換基板之同時,即於支持基板上形成間隔之晶粒區,應用於發光二極體或其他垂直結構元件上,可以省略後續微影、蝕刻等步驟,故確實簡化製程步驟並節省時間。
Original languageChinese
Patent numberI287309
Publication statusPublished - 1800

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