異質接面奈米線結構及其製造方法

Shui-Jinn Wang (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種異質接面奈米線結構及其製造方法,所述奈米線結構包含:一基板單元,以及數條彼此間隔地設置在該基板單元之表面的氧化物奈米線。所述氧化物奈米線皆包括一連接該基板單元的第一線段,及一連接該第一線段且材料不同於第一線段的第二線段,藉此形成異質接面。上述奈米線為一維結構,具有良好的光電響應能力,並可縮小元件尺寸。而本發明之製造方法,結合具有奈米孔洞的模板技術
Original languageChinese
Patent numberI385118
Publication statusPublished - 1800

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