積體電路後段銅內連線銅阻層之製備方法

Dung-Ching Perng (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種積體電路(IC)後段銅內連線銅阻障層之製備方法,係先沉積一摻入雜質之介電材料層或含磷(P)之多孔隙材料(Porous Material)層做銅內連線之絕緣材料,待完成雙鑲嵌製程及沉積未含雜質之阻障層後,再利用退火使該雜質擴散進入該阻障層裡,最後再鍍上該銅導線層。如是,經由摻雜雜質至該阻障層中,即可在不增加厚度情況下,提高阻障層之阻障特性,進而防止銅擴散所引起之漏電流(Leakage Current)及其它可靠度問題。
Original languageChinese
Patent numberI346370
Publication statusPublished - 1800

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year = "1800",
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type = "Patent",
note = "I346370",

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TY - PAT

T1 - 積體電路後段銅內連線銅阻層之製備方法

AU - Perng, Dung-Ching

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種積體電路(IC)後段銅內連線銅阻障層之製備方法,係先沉積一摻入雜質之介電材料層或含磷(P)之多孔隙材料(Porous Material)層做銅內連線之絕緣材料,待完成雙鑲嵌製程及沉積未含雜質之阻障層後,再利用退火使該雜質擴散進入該阻障層裡,最後再鍍上該銅導線層。如是,經由摻雜雜質至該阻障層中,即可在不增加厚度情況下,提高阻障層之阻障特性,進而防止銅擴散所引起之漏電流(Leakage Current)及其它可靠度問題。

AB - 一種積體電路(IC)後段銅內連線銅阻障層之製備方法,係先沉積一摻入雜質之介電材料層或含磷(P)之多孔隙材料(Porous Material)層做銅內連線之絕緣材料,待完成雙鑲嵌製程及沉積未含雜質之阻障層後,再利用退火使該雜質擴散進入該阻障層裡,最後再鍍上該銅導線層。如是,經由摻雜雜質至該阻障層中,即可在不增加厚度情況下,提高阻障層之阻障特性,進而防止銅擴散所引起之漏電流(Leakage Current)及其它可靠度問題。

M3 - Patent

M1 - I346370

ER -