Abstract
本發明係關於一種利用單一金屬沈積出金屬與碳交替層狀薄膜之方法,其係利用真空反應式磁控濺鍍技術,以單一金屬靶材為金屬源,配合連續通入之反應氣體中的碳氫化合物作為碳源,沈積出金屬與碳的交替層狀結構。本發明不需提供基板熱源及偏壓,即可使奈米級奈米富碳層與奈米級奈米富金屬層以具有可控制之週期性自我組裝交替層疊。
Original language | Chinese (Traditional) |
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Patent number | I299062 |
Publication status | Published - 1800 |