自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法

Shui-Jinn Wang (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法,依序包含以下步驟:(A)於該基板頂面被覆一碳化鎢薄膜,及(B)將已被覆碳化鎢薄膜之基板進行熱退火處理,而於該碳化鎢薄膜表面形成高密度碳化鎢奈米線,退火溫度450~800℃,相對退火時間2.5 hr~5 min。藉由碳化鎢薄膜於熱退火處理過程中之晶相變化,而可在不需觸媒的輔助下,於該碳化鎢薄膜表面產生大量之碳化鎢奈米線。
Original languageChinese
Patent numberI253386
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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author = "Shui-Jinn Wang",
year = "1800",
language = "Chinese",
type = "Patent",
note = "I253386",

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TY - PAT

T1 - 自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法

AU - Wang, Shui-Jinn

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法,依序包含以下步驟:(A)於該基板頂面被覆一碳化鎢薄膜,及(B)將已被覆碳化鎢薄膜之基板進行熱退火處理,而於該碳化鎢薄膜表面形成高密度碳化鎢奈米線,退火溫度450~800℃,相對退火時間2.5 hr~5 min。藉由碳化鎢薄膜於熱退火處理過程中之晶相變化,而可在不需觸媒的輔助下,於該碳化鎢薄膜表面產生大量之碳化鎢奈米線。

AB - 一種自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法,依序包含以下步驟:(A)於該基板頂面被覆一碳化鎢薄膜,及(B)將已被覆碳化鎢薄膜之基板進行熱退火處理,而於該碳化鎢薄膜表面形成高密度碳化鎢奈米線,退火溫度450~800℃,相對退火時間2.5 hr~5 min。藉由碳化鎢薄膜於熱退火處理過程中之晶相變化,而可在不需觸媒的輔助下,於該碳化鎢薄膜表面產生大量之碳化鎢奈米線。

M3 - Patent

M1 - I253386

ER -