薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體

Chie Gau (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本?明公?了一种薄膜晶体管的制?方法及??极式薄膜晶体管,本?明的薄膜晶体管的制?方法包括步?:(A)提供一基板;(B)于?基板表面形成一源极?极、一漏极?极、以及一?壁?米碳管?,?源极?极与?漏极?极相隔一距离配置,且??壁?米碳管?配置于?源极?极与?漏极?极之?;(C)于??壁?米碳管?的表面形成一?极氧化?;(D)以氧气或氮气回火?理??极氧化?的表面;以及(E)形成一?极于??极氧化?的表面;其中,?步?(D)中,以氧气或氮气回火?理??极氧化?的?度?500℃至600℃。
Original languageChinese
Patent numberZL 2012 1 0136709.5
Publication statusPublished - 2013 Jan 2

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Gau, C. (2013). 薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體. (Patent No. ZL 2012 1 0136709.5).
Gau, Chie (Inventor). / 薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體. Patent No.: ZL 2012 1 0136709.5.
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Gau, C 2013, 薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體, Patent No. ZL 2012 1 0136709.5.

薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體. / Gau, Chie (Inventor).

Patent No.: ZL 2012 1 0136709.5.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - 薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體

AU - Gau, Chie

PY - 2013/1/2

Y1 - 2013/1/2

N2 - 本?明公?了一种薄膜晶体管的制?方法及??极式薄膜晶体管,本?明的薄膜晶体管的制?方法包括步?:(A)提供一基板;(B)于?基板表面形成一源极?极、一漏极?极、以及一?壁?米碳管?,?源极?极与?漏极?极相隔一距离配置,且??壁?米碳管?配置于?源极?极与?漏极?极之?;(C)于??壁?米碳管?的表面形成一?极氧化?;(D)以氧气或氮气回火?理??极氧化?的表面;以及(E)形成一?极于??极氧化?的表面;其中,?步?(D)中,以氧气或氮气回火?理??极氧化?的?度?500℃至600℃。

AB - 本?明公?了一种薄膜晶体管的制?方法及??极式薄膜晶体管,本?明的薄膜晶体管的制?方法包括步?:(A)提供一基板;(B)于?基板表面形成一源极?极、一漏极?极、以及一?壁?米碳管?,?源极?极与?漏极?极相隔一距离配置,且??壁?米碳管?配置于?源极?极与?漏极?极之?;(C)于??壁?米碳管?的表面形成一?极氧化?;(D)以氧气或氮气回火?理??极氧化?的表面;以及(E)形成一?极于??极氧化?的表面;其中,?步?(D)中,以氧气或氮气回火?理??极氧化?的?度?500℃至600℃。

M3 - Patent

M1 - ZL 2012 1 0136709.5

ER -

Gau C, inventor. 薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體. ZL 2012 1 0136709.5. 2013 Jan 2.