車用抗硫化晶片電阻器之製造方法

Wen-Shi Lee (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種車用抗硫化晶片電阻器之製造方法,係以低成本鋁端電極取代目前高單價之銀端電極,當鋁端電極應用於較高電阻值晶片電阻,元件結構不變,只需加大電流;當多孔性鋁端電極應用於較低電阻值晶片電阻,可經由新結構藉由保護層與電阻層尺寸不同改變電流導通路徑,從原先透過印刷正面端電極導通電阻層路徑改變成以側面端電極導通電阻層新路徑。
Original languageChinese
Patent numberI592953
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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author = "Wen-Shi Lee",
year = "1800",
language = "Chinese",
type = "Patent",
note = "I592953",

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車用抗硫化晶片電阻器之製造方法. / Lee, Wen-Shi (Inventor).

Patent No.: I592953.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - 車用抗硫化晶片電阻器之製造方法

AU - Lee, Wen-Shi

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種車用抗硫化晶片電阻器之製造方法,係以低成本鋁端電極取代目前高單價之銀端電極,當鋁端電極應用於較高電阻值晶片電阻,元件結構不變,只需加大電流;當多孔性鋁端電極應用於較低電阻值晶片電阻,可經由新結構藉由保護層與電阻層尺寸不同改變電流導通路徑,從原先透過印刷正面端電極導通電阻層路徑改變成以側面端電極導通電阻層新路徑。

AB - 一種車用抗硫化晶片電阻器之製造方法,係以低成本鋁端電極取代目前高單價之銀端電極,當鋁端電極應用於較高電阻值晶片電阻,元件結構不變,只需加大電流;當多孔性鋁端電極應用於較低電阻值晶片電阻,可經由新結構藉由保護層與電阻層尺寸不同改變電流導通路徑,從原先透過印刷正面端電極導通電阻層路徑改變成以側面端電極導通電阻層新路徑。

M3 - Patent

M1 - I592953

ER -