Abstract
一種金屬-絕緣層-半導體(Metal-Insulator-Semiconductor；MIS)電晶體式氫氣感測器，係在例如砷化鎵(GaAs)半導體膜上形成例如金-鍺-鎳(AuGe/Ni)合金所構成之汲極電極與源極電極，並形成一薄氧化層於汲極電極與源極電極間之主動層上，再蒸鍍例如鈀(Pd)或鉑(Pt)金屬於氧化層上，以作為閘極電極。其中，由於鈀或鉑金屬對氫氣具有良好的觸媒活性，因此當氫氣分子吸附於鈀或鉑金屬表面時會被解離為氫原子，再藉由鈀或鉑金屬與氧化層介面可吸附大量氫原子的能力，而可得到明顯電晶體電性的變
| Original language | Chinese (Traditional) |
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| Patent number | 168676 |
| Publication status | Published - 1800 |