Abstract
本發明係關於一種鑽石成核方法,包括下列步驟:提供一基板並於該基板之一表面上形成一石墨烯層;提供一反應室,並將該基板置於該反應室中;提供一混合氣體於該反應室中,其中該混合氣體包括一含碳氣體;以及於該反應室中形成一電漿,使該含碳氣體於該石墨烯層之表面上反應形成複數個核種,而此方法所形成之結構,包括:一基板;一石墨烯層係設置於該基板上;以及複數個鑽石顆粒形成於該石墨烯層上。
Original language | Chinese (Traditional) |
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Patent number | I546425 |
Publication status | Published - 1800 |