鑽石成核方法及其所形成之結構

Yon-Hua Tzeng (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係關於一種鑽石成核方法,包括下列步驟:提供一基板並於該基板之一表面上形成一石墨烯層;提供一反應室,並將該基板置於該反應室中;提供一混合氣體於該反應室中,其中該混合氣體包括一含碳氣體;以及於該反應室中形成一電漿,使該含碳氣體於該石墨烯層之表面上反應形成複數個核種,而此方法所形成之結構,包括:一基板;一石墨烯層係設置於該基板上;以及複數個鑽石顆粒形成於該石墨烯層上。
Original languageChinese
Patent numberI546425
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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author = "Yon-Hua Tzeng",
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language = "Chinese",
type = "Patent",
note = "I546425",

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鑽石成核方法及其所形成之結構. / Tzeng, Yon-Hua (Inventor).

Patent No.: I546425.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - 鑽石成核方法及其所形成之結構

AU - Tzeng, Yon-Hua

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係關於一種鑽石成核方法,包括下列步驟:提供一基板並於該基板之一表面上形成一石墨烯層;提供一反應室,並將該基板置於該反應室中;提供一混合氣體於該反應室中,其中該混合氣體包括一含碳氣體;以及於該反應室中形成一電漿,使該含碳氣體於該石墨烯層之表面上反應形成複數個核種,而此方法所形成之結構,包括:一基板;一石墨烯層係設置於該基板上;以及複數個鑽石顆粒形成於該石墨烯層上。

AB - 本發明係關於一種鑽石成核方法,包括下列步驟:提供一基板並於該基板之一表面上形成一石墨烯層;提供一反應室,並將該基板置於該反應室中;提供一混合氣體於該反應室中,其中該混合氣體包括一含碳氣體;以及於該反應室中形成一電漿,使該含碳氣體於該石墨烯層之表面上反應形成複數個核種,而此方法所形成之結構,包括:一基板;一石墨烯層係設置於該基板上;以及複數個鑽石顆粒形成於該石墨烯層上。

M3 - Patent

M1 - I546425

ER -