電泳式閘極異質結構場效電晶體及其製造方法

一種電泳式閘極異質結構場效電晶體包括一半導體基板、一蕭特基接觸層、至少一歐姆接觸層、一汲極金屬電極層、一源極金屬電極層及一閘極金屬電極層，該閘極金屬電極層係利用電泳技術沈積於該蕭特基接觸層上。一種電泳式閘極異質結構場效電晶體之製造方法包括步驟：提供一半導體基板；形成一蕭特基接觸層於該半導體基板上；形成至少一歐姆接觸層；形成一汲極金屬電極層以及一源極金屬電極層；形成一汲極電極與一源極電極；於該汲極電極以及該源極電極間之歐姆接觸層表面進行蝕刻；以電泳技術沈積一閘極金屬電極層；及定義出元件操作區域。