Abstract
本發明係為一種順序量測雙折射材料多項光學參數與二維全場量測之裝置及方法，其裝置由包括一入射光源及一光學架構，其量測方法則係使上述入射光源依序經過光學架構之偏振片、電光調變器、以及第一λ/4波片、待測物、第二λ/4波片、檢偏片，並於光偵測器上接受其光訊號，另配合移除第一λ/4波片，最後再將前述光訊號分別經過帶通濾波器和鎖相放大器作訊號處理，經運算單元之運算以分別獲得主軸角度、相位延遲、階數、厚度和尋常光與非尋常光的折射率等光學參數；另藉由加入CCD及電控裝置，本發明亦為一種二維全場量測裝置及方法。
| Original language | Chinese |
|---|---|
| Patent number | I274142 |
| Publication status | Published - 1800 |
Cite this
Lo, Y-L. (1800). 順序量測雙折射材料多項光學參數之裝置與方法. (Patent No. I274142).
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author = "Yu-Lung Lo",
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Lo, Y-L 1800, 順序量測雙折射材料多項光學參數之裝置與方法, Patent No. I274142.
順序量測雙折射材料多項光學參數之裝置與方法. / Lo, Yu-Lung (Inventor).
Patent No.: I274142.Research output: Patent
TY - PAT
T1 - 順序量測雙折射材料多項光學參數之裝置與方法
AU - Lo, Yu-Lung
PY - 1800
Y1 - 1800
N2 - 本發明係為一種順序量測雙折射材料多項光學參數與二維全場量測之裝置及方法，其裝置由包括一入射光源及一光學架構，其量測方法則係使上述入射光源依序經過光學架構之偏振片、電光調變器、以及第一λ/4波片、待測物、第二λ/4波片、檢偏片，並於光偵測器上接受其光訊號，另配合移除第一λ/4波片，最後再將前述光訊號分別經過帶通濾波器和鎖相放大器作訊號處理，經運算單元之運算以分別獲得主軸角度、相位延遲、階數、厚度和尋常光與非尋常光的折射率等光學參數；另藉由加入CCD及電控裝置，本發明亦為一種二維全場量測裝置及方法。
AB - 本發明係為一種順序量測雙折射材料多項光學參數與二維全場量測之裝置及方法，其裝置由包括一入射光源及一光學架構，其量測方法則係使上述入射光源依序經過光學架構之偏振片、電光調變器、以及第一λ/4波片、待測物、第二λ/4波片、檢偏片，並於光偵測器上接受其光訊號，另配合移除第一λ/4波片，最後再將前述光訊號分別經過帶通濾波器和鎖相放大器作訊號處理，經運算單元之運算以分別獲得主軸角度、相位延遲、階數、厚度和尋常光與非尋常光的折射率等光學參數；另藉由加入CCD及電控裝置，本發明亦為一種二維全場量測裝置及方法。
M3 - Patent
M1 - I274142
ER -
Lo Y-L, inventor. 順序量測雙折射材料多項光學參數之裝置與方法. I274142. 1800.