高導電卑金屬電極或合金低歐姆晶片電阻器之製作方法

Wen-Shi Lee (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種高導電卑金屬電極或合金低歐姆晶片電阻器之製作方法,係以厚膜印刷且在低溫與空氣中燒結下製作出卑金屬電極或是合金電極與電阻,其利用一便宜低還原電位金屬製作成厚膜膏(如鋁或錫等),透過網版印刷成型燒結,然後將此便宜低還原電位金屬層當犧牲層,將此犧牲層浸入較高還原電位金屬溶液中進行濕式化學替代反應,如此可以得到較高還原電位之金屬電極。另外也可以將此犧牲層浸入由幾種不同較高還原電位金屬溶液混合之溶液進行濕式化學替代反應而得到不同組成之合金。藉此,本發明所提製作方式可排除傳統必須在高溫還原氣氛下熱處理才能產生卑金屬電極或是卑金屬合金之特性,可以大幅改善目前市面上之卑金屬或合金之製造成本,並可進一步結合國內厚膜印刷產業製作方式,大幅提高技術層面之效率。
Original languageChinese
Patent numberI602202
Publication statusPublished - 1800

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