高穩定性氧化鉍系氧離子導體

Kuan-Zong Fung (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係關於一種高穩定性氧化鉍系氧離子導體,係在一立方氟化鈣結構之???相氧化鉍主體中,藉由一離子半徑小或高價數之陽離子或至少兩種不同價數之陽離子混合物做為添加劑,進入鉍離子(Bi^3+)位置,以改變氧空缺濃度及鉍離子濃度,使該???相氧化鉍系氧離子導體可在低溫下操作,並具有結構穩定性及良好之導電率,並可在還原氣氛下結構維持穩定。
Original languageChinese
Patent numberI373879
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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author = "Kuan-Zong Fung",
year = "1800",
language = "Chinese",
type = "Patent",
note = "I373879",

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高穩定性氧化鉍系氧離子導體. / Fung, Kuan-Zong (Inventor).

Patent No.: I373879.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - 高穩定性氧化鉍系氧離子導體

AU - Fung, Kuan-Zong

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係關於一種高穩定性氧化鉍系氧離子導體,係在一立方氟化鈣結構之???相氧化鉍主體中,藉由一離子半徑小或高價數之陽離子或至少兩種不同價數之陽離子混合物做為添加劑,進入鉍離子(Bi^3+)位置,以改變氧空缺濃度及鉍離子濃度,使該???相氧化鉍系氧離子導體可在低溫下操作,並具有結構穩定性及良好之導電率,並可在還原氣氛下結構維持穩定。

AB - 本發明係關於一種高穩定性氧化鉍系氧離子導體,係在一立方氟化鈣結構之???相氧化鉍主體中,藉由一離子半徑小或高價數之陽離子或至少兩種不同價數之陽離子混合物做為添加劑,進入鉍離子(Bi^3+)位置,以改變氧空缺濃度及鉍離子濃度,使該???相氧化鉍系氧離子導體可在低溫下操作,並具有結構穩定性及良好之導電率,並可在還原氣氛下結構維持穩定。

M3 - Patent

M1 - I373879

ER -