3-D MICRO/NANO STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Yung-Chun Lee (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板,第二蝕刻材料層位於基板與第一蝕刻材料層之間。製造方法包含一轉印步驟,藉由一模仁將一轉印材料層轉印至基板之第一蝕刻材料層;一第一蝕刻步驟,係以基板上之轉印材料層作為遮罩,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻;以及一第二蝕刻步驟,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻
Original languageEnglish
Patent numberI413177
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I413177",

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TY - PAT

T1 - 3-D MICRO/NANO STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

AU - Lee, Yung-Chun

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板,第二蝕刻材料層位於基板與第一蝕刻材料層之間。製造方法包含一轉印步驟,藉由一模仁將一轉印材料層轉印至基板之第一蝕刻材料層;一第一蝕刻步驟,係以基板上之轉印材料層作為遮罩,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻;以及一第二蝕刻步驟,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻

AB - 一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板,第二蝕刻材料層位於基板與第一蝕刻材料層之間。製造方法包含一轉印步驟,藉由一模仁將一轉印材料層轉印至基板之第一蝕刻材料層;一第一蝕刻步驟,係以基板上之轉印材料層作為遮罩,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻;以及一第二蝕刻步驟,對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻

M3 - Patent

M1 - I413177

ER -