A FABRICATION METHOD OF STACKED MULTIBIT SONOS TYPE FLASH MEMORY

Mau-phon Houng (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種堆疊型SONOS式快閃記憶體結構及其製作方法,其結構包含一矽基體及一磊晶層,分別為下部SONOS型快閃記憶體及上部SONOS快閃記憶體之通道層(Channel);第一及第二氧化層-氮化矽-氧化層(ONO)為電荷儲存層;一控制閘極,為上部SONOS型及下部SONOS型元件之共同閘極;控制閘極之兩端分別填滿高密度電漿沈積氧化物(HDP-CVD)做控制閘極寬度之定義,和上部SONOS型及下部SONOS型元件之隔離。此ONO層可用奈米結晶體(Nano-crystals)來取代以產生高效能之電荷保存特性。
Original languageEnglish
Patent numberI332261
Publication statusPublished - 1800

Cite this

@misc{b7b5a21086654665b33e8abdb4f02f5e,
title = "A FABRICATION METHOD OF STACKED MULTIBIT SONOS TYPE FLASH MEMORY",
abstract = "一種堆疊型SONOS式快閃記憶體結構及其製作方法,其結構包含一矽基體及一磊晶層,分別為下部SONOS型快閃記憶體及上部SONOS快閃記憶體之通道層(Channel);第一及第二氧化層-氮化矽-氧化層(ONO)為電荷儲存層;一控制閘極,為上部SONOS型及下部SONOS型元件之共同閘極;控制閘極之兩端分別填滿高密度電漿沈積氧化物(HDP-CVD)做控制閘極寬度之定義,和上部SONOS型及下部SONOS型元件之隔離。此ONO層可用奈米結晶體(Nano-crystals)來取代以產生高效能之電荷保存特性。",
author = "Mau-phon Houng",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I332261",

}

TY - PAT

T1 - A FABRICATION METHOD OF STACKED MULTIBIT SONOS TYPE FLASH MEMORY

AU - Houng, Mau-phon

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種堆疊型SONOS式快閃記憶體結構及其製作方法,其結構包含一矽基體及一磊晶層,分別為下部SONOS型快閃記憶體及上部SONOS快閃記憶體之通道層(Channel);第一及第二氧化層-氮化矽-氧化層(ONO)為電荷儲存層;一控制閘極,為上部SONOS型及下部SONOS型元件之共同閘極;控制閘極之兩端分別填滿高密度電漿沈積氧化物(HDP-CVD)做控制閘極寬度之定義,和上部SONOS型及下部SONOS型元件之隔離。此ONO層可用奈米結晶體(Nano-crystals)來取代以產生高效能之電荷保存特性。

AB - 一種堆疊型SONOS式快閃記憶體結構及其製作方法,其結構包含一矽基體及一磊晶層,分別為下部SONOS型快閃記憶體及上部SONOS快閃記憶體之通道層(Channel);第一及第二氧化層-氮化矽-氧化層(ONO)為電荷儲存層;一控制閘極,為上部SONOS型及下部SONOS型元件之共同閘極;控制閘極之兩端分別填滿高密度電漿沈積氧化物(HDP-CVD)做控制閘極寬度之定義,和上部SONOS型及下部SONOS型元件之隔離。此ONO層可用奈米結晶體(Nano-crystals)來取代以產生高效能之電荷保存特性。

M3 - Patent

M1 - I332261

ER -