A FABRICATION METHOD OF STACKED MULTIBIT SONOS TYPE FLASH MEMORY

Mau-phon Houng (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種堆疊型SONOS式快閃記憶體結構及其製作方法,其結構包含一矽基體及一磊晶層,分別為下部SONOS型快閃記憶體及上部SONOS快閃記憶體之通道層(Channel);第一及第二氧化層-氮化矽-氧化層(ONO)為電荷儲存層;一控制閘極,為上部SONOS型及下部SONOS型元件之共同閘極;控制閘極之兩端分別填滿高密度電漿沈積氧化物(HDP-CVD)做控制閘極寬度之定義,和上部SONOS型及下部SONOS型元件之隔離。此ONO層可用奈米結晶體(Nano-crystals)來取代以產生高效能之電荷保存特性。
Translated title of the contribution一種堆疊型多位元SONOS式快閃記憶體之製造技術
Original languageEnglish
Patent numberI332261
Publication statusPublished - 1800

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