Abstract
一種抗反射膜之製備方法，係包含：一基板提供步驟，係提供一基板；一高分子基膜形成步驟，以一第一電荷高分子溶液及一第二電荷高分子溶液於該基板之表面形成一高分子基膜；一高分子基膜堆疊步驟，於該第二電荷高分子膜表面形成另一第一電荷高分子膜及另一第二電荷高分子膜，以於該高分子基膜表面另堆疊形成一高分子基膜；一重複步驟，係重複該高分子基膜堆疊步驟以形成一高分子膜；及一二氧化矽沉析步驟，以一二氧化矽前驅液於該高分子膜中沉析二氧化矽。本發明係可以大幅簡化該抗反射膜製程，達到降低該抗反射膜製程成本之功效。
| Original language | English |
|---|---|
| Patent number | I554780 |
| Publication status | Published - 1800 |
Cite this
Jan, J-S. (1800). A method for producing anti-reflective film. (Patent No. I554780).
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title = "A method for producing anti-reflective film",
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author = "Jeng-Shiung Jan",
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Jan, J-S 1800, A method for producing anti-reflective film, Patent No. I554780.
A method for producing anti-reflective film. / Jan, Jeng-Shiung (Inventor).
Patent No.: I554780.Research output: Patent
TY - PAT
T1 - A method for producing anti-reflective film
AU - Jan, Jeng-Shiung
PY - 1800
Y1 - 1800
N2 - 一種抗反射膜之製備方法，係包含：一基板提供步驟，係提供一基板；一高分子基膜形成步驟，以一第一電荷高分子溶液及一第二電荷高分子溶液於該基板之表面形成一高分子基膜；一高分子基膜堆疊步驟，於該第二電荷高分子膜表面形成另一第一電荷高分子膜及另一第二電荷高分子膜，以於該高分子基膜表面另堆疊形成一高分子基膜；一重複步驟，係重複該高分子基膜堆疊步驟以形成一高分子膜；及一二氧化矽沉析步驟，以一二氧化矽前驅液於該高分子膜中沉析二氧化矽。本發明係可以大幅簡化該抗反射膜製程，達到降低該抗反射膜製程成本之功效。
AB - 一種抗反射膜之製備方法，係包含：一基板提供步驟，係提供一基板；一高分子基膜形成步驟，以一第一電荷高分子溶液及一第二電荷高分子溶液於該基板之表面形成一高分子基膜；一高分子基膜堆疊步驟，於該第二電荷高分子膜表面形成另一第一電荷高分子膜及另一第二電荷高分子膜，以於該高分子基膜表面另堆疊形成一高分子基膜；一重複步驟，係重複該高分子基膜堆疊步驟以形成一高分子膜；及一二氧化矽沉析步驟，以一二氧化矽前驅液於該高分子膜中沉析二氧化矽。本發明係可以大幅簡化該抗反射膜製程，達到降低該抗反射膜製程成本之功效。
M3 - Patent
M1 - I554780
ER -
Jan J-S, inventor. A method for producing anti-reflective film. I554780. 1800.