Abstract
本發明係為一以酸性高分子材料之壓印圖案轉移製程，其利用包含酸性單體之數種單體共聚合反應合成高分子阻劑，將高分子阻劑塗佈於基材上再行熱壓印製程，由於該高分子阻劑為酸性聚合物，可利用鹼性水溶液輕易去除基板上的酸性聚合物殘留液，而不需使用昂貴的乾式蝕刻，減少壓印製程之去阻劑步驟時間及所需乾式蝕刻機器及相關耗材使用，降低成本。
| Original language | English |
|---|---|
| Patent number | I282039 |
| Publication status | Published - 1800 |
Cite this
Hong, F. C-N., & Hsu, L-C. (1800). Acidic polymers used in imprint lithography. (Patent No. I282039).
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title = "Acidic polymers used in imprint lithography",
abstract = "本發明係為一以酸性高分子材料之壓印圖案轉移製程，其利用包含酸性單體之數種單體共聚合反應合成高分子阻劑，將高分子阻劑塗佈於基材上再行熱壓印製程，由於該高分子阻劑為酸性聚合物，可利用鹼性水溶液輕易去除基板上的酸性聚合物殘留液，而不需使用昂貴的乾式蝕刻，減少壓印製程之去阻劑步驟時間及所需乾式蝕刻機器及相關耗材使用，降低成本。",
author = "Hong, {Franklin Chau-Nan} and Lien-Chung Hsu",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I282039",
}
Hong, FC-N & Hsu, L-C 1800, Acidic polymers used in imprint lithography, Patent No. I282039.
Acidic polymers used in imprint lithography. / Hong, Franklin Chau-Nan (Inventor); Hsu, Lien-Chung (Inventor).
Patent No.: I282039.Research output: Patent
TY - PAT
T1 - Acidic polymers used in imprint lithography
AU - Hong, Franklin Chau-Nan
AU - Hsu, Lien-Chung
PY - 1800
Y1 - 1800
N2 - 本發明係為一以酸性高分子材料之壓印圖案轉移製程，其利用包含酸性單體之數種單體共聚合反應合成高分子阻劑，將高分子阻劑塗佈於基材上再行熱壓印製程，由於該高分子阻劑為酸性聚合物，可利用鹼性水溶液輕易去除基板上的酸性聚合物殘留液，而不需使用昂貴的乾式蝕刻，減少壓印製程之去阻劑步驟時間及所需乾式蝕刻機器及相關耗材使用，降低成本。
AB - 本發明係為一以酸性高分子材料之壓印圖案轉移製程，其利用包含酸性單體之數種單體共聚合反應合成高分子阻劑，將高分子阻劑塗佈於基材上再行熱壓印製程，由於該高分子阻劑為酸性聚合物，可利用鹼性水溶液輕易去除基板上的酸性聚合物殘留液，而不需使用昂貴的乾式蝕刻，減少壓印製程之去阻劑步驟時間及所需乾式蝕刻機器及相關耗材使用，降低成本。
M3 - Patent
M1 - I282039
ER -
Hong FC-N, Hsu L-C, inventors. Acidic polymers used in imprint lithography. I282039. 1800.