Composite Doped Channel Heterostructure Field-Effect Transistor

Wen-Chau Liu (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種具有優良特性之複合式摻雜通道異質結構場效電晶體(HFET)。本發明以下列之特點來改良電晶體之特性:(1) 採用n+-In0.2Ga0.8As/n-GaAs複合式摻雜通道結構,利用縮減砷化銦鎵(In0.2Ga0.8As)層的厚度以形成通道量子化效應,這可以增加砷化銦鎵(In0.2Ga0.8As)通道層的有效能隙,而砷化鎵(GaAs)層則可以增進元件在高電場下之操作能力,因此可避免撞擊游離現象的產生,而漏電流也可因此降低;(2) 利用大能隙之磷化銦鎵(In0.49Ga0.51P)材料作為蕭特基接觸層及緩衝
Original languageEnglish
Patent number158646
Publication statusPublished - 1800

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