Abstract
一種具有優良特性之複合式摻雜通道異質結構場效電晶體(HFET)。本發明以下列之特點來改良電晶體之特性：(1) 採用n+-In0.2Ga0.8As/n-GaAs複合式摻雜通道結構，利用縮減砷化銦鎵(In0.2Ga0.8As)層的厚度以形成通道量子化效應，這可以增加砷化銦鎵(In0.2Ga0.8As)通道層的有效能隙，而砷化鎵(GaAs)層則可以增進元件在高電場下之操作能力，因此可避免撞擊游離現象的產生，而漏電流也可因此降低；(2) 利用大能隙之磷化銦鎵(In0.49Ga0.51P)材料作為蕭特基接觸層及緩衝
| Translated title of the contribution | 具有複合式摻雜通道之異質結構場效電晶體 |
|---|---|
| Original language | English |
| Patent number | 158646 |
| Publication status | Published - 1800 |