Abstract
本發明係關於一種導電的發光奈米結構及其製造方法,該導電的發光奈米結構係由一般式M-X-A所表示之物所形成,其中M係為鉭(Ta)、鎢(W)或鈦(Ti),X係為矽(Si)或鋁(Al),A係為氮(N)或氧(O),該導電的發光奈米結構包括一基底及複數個奈米晶體,該基底係為不規則排列的非晶結構,且其材質可為X-A或M-X-A,該等規則排列的奈米晶體之材質係為M-X或M-A或M-X-A固溶體(Solid solution),其晶粒大小係為奈米等級
| Translated title of the contribution | 導電的發光奈米結構及其製造方法 |
|---|---|
| Original language | English |
| Patent number | I368599 |
| Publication status | Published - 1800 |