CuInSe(CIS) Thin Film Solar Cell and Method for Making the Same

Dung-Ching Perng (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種銅銦硒系薄膜太陽能電池及其製造方法,所述太陽能電池包含:一基板,以及一附著層、一第一電極、一個p型吸收層、一個n型緩衝層,以及一第二電極。該第一電極之一第一電極層之材質例如鉬鋁合金,該附著層之材質例如氧化鋁,該吸收層之材質例如銅銦鋁硒化合物。藉由鉬鋁合金製成的第一電極層,在硒化製程中,第一電極層的鋁原子會向下及向上擴散,進而自然形成該吸收層及該附著層,該附著層可以提升第一電極與基板的附著性,該吸收層的能隙由鄰近而遠離該基板的方向,是先變小後再變大,具有雙漸變式吸收層能隙。
Original languageEnglish
Patent numberI433328
Publication statusPublished - 1800

Cite this

@misc{542c87780dde49eda90eca1f00d7144e,
title = "CuInSe(CIS) Thin Film Solar Cell and Method for Making the Same",
abstract = "一種銅銦硒系薄膜太陽能電池及其製造方法,所述太陽能電池包含:一基板,以及一附著層、一第一電極、一個p型吸收層、一個n型緩衝層,以及一第二電極。該第一電極之一第一電極層之材質例如鉬鋁合金,該附著層之材質例如氧化鋁,該吸收層之材質例如銅銦鋁硒化合物。藉由鉬鋁合金製成的第一電極層,在硒化製程中,第一電極層的鋁原子會向下及向上擴散,進而自然形成該吸收層及該附著層,該附著層可以提升第一電極與基板的附著性,該吸收層的能隙由鄰近而遠離該基板的方向,是先變小後再變大,具有雙漸變式吸收層能隙。",
author = "Dung-Ching Perng",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I433328",

}

TY - PAT

T1 - CuInSe(CIS) Thin Film Solar Cell and Method for Making the Same

AU - Perng, Dung-Ching

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種銅銦硒系薄膜太陽能電池及其製造方法,所述太陽能電池包含:一基板,以及一附著層、一第一電極、一個p型吸收層、一個n型緩衝層,以及一第二電極。該第一電極之一第一電極層之材質例如鉬鋁合金,該附著層之材質例如氧化鋁,該吸收層之材質例如銅銦鋁硒化合物。藉由鉬鋁合金製成的第一電極層,在硒化製程中,第一電極層的鋁原子會向下及向上擴散,進而自然形成該吸收層及該附著層,該附著層可以提升第一電極與基板的附著性,該吸收層的能隙由鄰近而遠離該基板的方向,是先變小後再變大,具有雙漸變式吸收層能隙。

AB - 一種銅銦硒系薄膜太陽能電池及其製造方法,所述太陽能電池包含:一基板,以及一附著層、一第一電極、一個p型吸收層、一個n型緩衝層,以及一第二電極。該第一電極之一第一電極層之材質例如鉬鋁合金,該附著層之材質例如氧化鋁,該吸收層之材質例如銅銦鋁硒化合物。藉由鉬鋁合金製成的第一電極層,在硒化製程中,第一電極層的鋁原子會向下及向上擴散,進而自然形成該吸收層及該附著層,該附著層可以提升第一電極與基板的附著性,該吸收層的能隙由鄰近而遠離該基板的方向,是先變小後再變大,具有雙漸變式吸收層能隙。

M3 - Patent

M1 - I433328

ER -