DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Research output: Patent

Abstract

一種二極體結構與其製造方法。此二極體結構的製造方法至少包含:依序形成接觸金屬層、磊晶結構層及電極於圖案化結構上;設置銲球於圖案化結構中,並使銲球結合於接觸金屬層,因而完成二極體結構。

Translated title of the contribution	二極體結構與其製造方法
Original language	English
Patent number	I358839
Publication status	Published - 1800

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author = "Shui-Jinn Wang",

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language = "English",

type = "Patent",

note = "I358839",

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TY - PAT

T1 - DIODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

AU - Wang, Shui-Jinn

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種二極體結構與其製造方法。此二極體結構的製造方法至少包含:依序形成接觸金屬層、磊晶結構層及電極於圖案化結構上;設置銲球於圖案化結構中,並使銲球結合於接觸金屬層,因而完成二極體結構。

AB - 一種二極體結構與其製造方法。此二極體結構的製造方法至少包含:依序形成接觸金屬層、磊晶結構層及電極於圖案化結構上;設置銲球於圖案化結構中,並使銲球結合於接觸金屬層,因而完成二極體結構。

M3 - Patent

M1 - I358839

ER -