HYDROGEN SENSOR AND APPLICATIONS THEROF

Huey-Ing Chen; Wei-Chou Hsu; Wen-Chau Liu

HYDROGEN SENSOR AND APPLICATIONS THEROF

Huey-Ing Chen (Inventor), Wei-Chou Hsu (Inventor), Wen-Chau Liu (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種氫氣感測器(Hydrogen Sensor)及其製造方法,此氫氣感測器包括:基底、半導體緩衝層、半導體主動層、歐姆接觸(Ohmic Contact)金屬層以及蕭特基接觸(Schottky Contact)金屬蒸鍍層。半導體緩衝層位於基底上。半導體主動層位於半導體緩衝層上。歐姆接觸(Ohmic Contact)金屬層位於一部分之半導體主動層上。蕭特基接觸金屬蒸鍍層位於一部分之半導體主動層上,且與歐姆接觸金屬層相距有一距離,其中蕭特基接觸金屬蒸鍍層的厚度實質介於10 至5000 之間。

Translated title of the contribution	氫氣感測器及其製造方法
Original language	English
Patent number	I311199
Publication status	Published - 1800

Cite this

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author = "Huey-Ing Chen and Wei-Chou Hsu and Wen-Chau Liu",

year = "1800",

language = "English",

type = "Patent",

note = "I311199",

}

TY - PAT

T1 - HYDROGEN SENSOR AND APPLICATIONS THEROF

AU - Chen, Huey-Ing

AU - Hsu, Wei-Chou

AU - Liu, Wen-Chau

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種氫氣感測器(Hydrogen Sensor)及其製造方法,此氫氣感測器包括:基底、半導體緩衝層、半導體主動層、歐姆接觸(Ohmic Contact)金屬層以及蕭特基接觸(Schottky Contact)金屬蒸鍍層。半導體緩衝層位於基底上。半導體主動層位於半導體緩衝層上。歐姆接觸(Ohmic Contact)金屬層位於一部分之半導體主動層上。蕭特基接觸金屬蒸鍍層位於一部分之半導體主動層上,且與歐姆接觸金屬層相距有一距離,其中蕭特基接觸金屬蒸鍍層的厚度實質介於10 至5000 之間。

AB - 一種氫氣感測器(Hydrogen Sensor)及其製造方法,此氫氣感測器包括:基底、半導體緩衝層、半導體主動層、歐姆接觸(Ohmic Contact)金屬層以及蕭特基接觸(Schottky Contact)金屬蒸鍍層。半導體緩衝層位於基底上。半導體主動層位於半導體緩衝層上。歐姆接觸(Ohmic Contact)金屬層位於一部分之半導體主動層上。蕭特基接觸金屬蒸鍍層位於一部分之半導體主動層上,且與歐姆接觸金屬層相距有一距離,其中蕭特基接觸金屬蒸鍍層的厚度實質介於10 至5000 之間。

M3 - Patent

M1 - I311199

ER -