Abstract
一種氫氣感測器及其製造方法。此氫氣感測器的製造方法包含如下步驟：形成半導體緩衝層於基底上；形成半導體主動層於半導體緩衝層上；對半導體主動層的表面進行電漿處理；以及形成第一金屬層和第二金屬層於半導體主動層，其中第一金屬層和第二金屬層之間具有一距離。
| Translated title of the contribution | 氫氣感測器及其製造方法 |
|---|---|
| Original language | English |
| Patent number | I443332 |
| Publication status | Published - 1800 |