Abstract
本專利係有關於一種氫氣感測器(Hydrogen Sensor)及其製造方法。在本發明中，首先利用金屬有機化學氣相沈積法(MOCVD)或分子束磊晶法(MBE)在一半導體基底上成長所需摻雜濃度與厚度之化合物半導體薄膜；接著於該化合物半導體薄膜上以真空蒸鍍(Vacuum Evaporation)技術沈積一金-鍺(Au-Ge)合金層作為歐姆接觸(Ohmic Contact)金屬層，然後成長一品質佳之氧化物絕緣層薄膜，再以無電鍍(Electroless Plating)技術鍍覆一層對氫氣具有選擇性之金屬膜於其上以形
| Translated title of the contribution | 氫氣感測器及其製造方法 |
|---|---|
| Original language | English |
| Patent number | 202519 |
| Publication status | Published - 1800 |