Hydrogen sensor and fabrication method thereof

Huey-Ing Chen (Inventor), Wen-Chau Liu (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本專利係有關於一種氫氣感測器(Hydrogen Sensor)及其製造方法。在本發明中,首先利用金屬有機化學氣相沈積法(MOCVD)或分子束磊晶法(MBE)在一半導體基底上成長所需摻雜濃度與厚度之化合物半導體薄膜;接著於該化合物半導體薄膜上以真空蒸鍍(Vacuum Evaporation)技術沈積一金-鍺(Au-Ge)合金層作為歐姆接觸(Ohmic Contact)金屬層,然後成長一品質佳之氧化物絕緣層薄膜,再以無電鍍(Electroless Plating)技術鍍覆一層對氫氣具有選擇性之金屬膜於其上以形
Original languageEnglish
Patent number202519
Publication statusPublished - 1800

Cite this

Chen, H-I., & Liu, W-C. (1800). Hydrogen sensor and fabrication method thereof. (Patent No. 202519).