IMPROVED MOLD RELEASING LAYER OF REVERSE IMPRINTING LITHOGRAPHY AND THE APPLYING METHOD OF THE SAME

Research output: Patent

Abstract

為了改善習知逆式微奈米壓印蝕刻技術中,阻劑不易填入具有抗黏著層處理之圖案化模板溝槽內之問題,提供一種逆式壓印圖案化之改質脫模層,至少包括位於一逆式壓印模板上,具有一壓印圖案之一側之抗黏著層;以及位於該抗黏著層上之界面層。利用界面層之界面活性劑,於已有抗黏著層處理的模板上做表面改質,再以接觸的方式將模板上之圖案轉印於所需要的任意基板上,使阻劑能完全的填入模板溝槽內部。
Original languageEnglish
Patent numberI254359
Publication statusPublished - 1800

Cite this

@misc{883bb7244e024ac3be7ea89587e5b73f,
title = "IMPROVED MOLD RELEASING LAYER OF REVERSE IMPRINTING LITHOGRAPHY AND THE APPLYING METHOD OF THE SAME",
abstract = "為了改善習知逆式微奈米壓印蝕刻技術中,阻劑不易填入具有抗黏著層處理之圖案化模板溝槽內之問題,提供一種逆式壓印圖案化之改質脫模層,至少包括位於一逆式壓印模板上,具有一壓印圖案之一側之抗黏著層;以及位於該抗黏著層上之界面層。利用界面層之界面活性劑,於已有抗黏著層處理的模板上做表面改質,再以接觸的方式將模板上之圖案轉印於所需要的任意基板上,使阻劑能完全的填入模板溝槽內部。",
author = "Hong, {Franklin Chau-Nan}",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I254359",

}

TY - PAT

T1 - IMPROVED MOLD RELEASING LAYER OF REVERSE IMPRINTING LITHOGRAPHY AND THE APPLYING METHOD OF THE SAME

AU - Hong, Franklin Chau-Nan

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 為了改善習知逆式微奈米壓印蝕刻技術中,阻劑不易填入具有抗黏著層處理之圖案化模板溝槽內之問題,提供一種逆式壓印圖案化之改質脫模層,至少包括位於一逆式壓印模板上,具有一壓印圖案之一側之抗黏著層;以及位於該抗黏著層上之界面層。利用界面層之界面活性劑,於已有抗黏著層處理的模板上做表面改質,再以接觸的方式將模板上之圖案轉印於所需要的任意基板上,使阻劑能完全的填入模板溝槽內部。

AB - 為了改善習知逆式微奈米壓印蝕刻技術中,阻劑不易填入具有抗黏著層處理之圖案化模板溝槽內之問題,提供一種逆式壓印圖案化之改質脫模層,至少包括位於一逆式壓印模板上,具有一壓印圖案之一側之抗黏著層;以及位於該抗黏著層上之界面層。利用界面層之界面活性劑,於已有抗黏著層處理的模板上做表面改質,再以接觸的方式將模板上之圖案轉印於所需要的任意基板上,使阻劑能完全的填入模板溝槽內部。

M3 - Patent

M1 - I254359

ER -