Abstract
一種電壓可調式多段轉換互導放大高電子移動率電晶體，係於一半導體基板上依序佈設有一緩衝層、一主通道層、一砷化銦鎵/砷化鎵(InGaAs/GaAs)厚度漸進式超晶格結構、一單原子δ-摻雜載子供應層、一閘極肖特基接觸層、及一汲/源極歐姆接觸層，其中，上述超晶格結構包含有隔絕層與次通道層，如是，藉由漸進式超晶隔絕層結構，可改善異質接面晶格不匹配引起之應力散射.
| Translated title of the contribution | 電壓可調式多段轉換互導放大高電子移動率電晶體 |
|---|---|
| Original language | English |
| Patent number | 6953955 |
| Publication status | Published - 1800 |